半導體激光器

　　半導體激光器即為激光二極管，記作LD。它是前蘇聯(lián)科學家H.Γ.巴索夫于1960年發(fā)明的。半導體激光器的結構通常由P層、N層和形成雙異質結的有源層構成。

　　半導體激光器的發(fā)光是利用光的受激輻射原理。處于粒子數(shù)反轉分布狀態(tài)的大多數(shù)電子在受到外來入射光子激勵時，會同步發(fā)射光子，受激輻射的光子和入射光子不僅波長相同，而且相位、方向也相同。這樣由弱的入射光激勵而得到了強的發(fā)射光，起到了光放大作用。

　　但是僅僅有光放大功能還不能形成光振蕩。正如電子電路中的振蕩器那樣，只有放大功能不能產生電振蕩，還必須設計正反饋電路，使電路中所損失的功率由放大的功率得以補償。同樣，在激光器中也是借用電子電路的反饋概念，把放大了的光反饋一部分回來進一步放大，產生振蕩，發(fā)出激光。這種用于實現(xiàn)光的放大反饋的儀器稱為光學諧振腔。

　　半導體激光器的優(yōu)點：尺寸小，耦合效率高，響應速度快，波長和尺寸與光纖尺寸適配，可直接調制，相干性好。

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